Zuverlässigkeit von ICs

In der Mikro- und Nanoelektronik führen Strukturverkleinerung (»More Moore«) und Heterointegration (»More than Moore«) zu immer dichter gepackten elektronischen Systemen. Dadurch vergrößert sich einerseits das Einsatzspektrum von Halbleitern. Andererseits steigt aber auch der Einfluss von technologisch bedingten Effekten, wie Alterung, Variationen oder elektrothermischen Wechselwirkungen. Zudem steht der Wunsch nach großer Rechenleistung und umfangreicher Funktionalität von ICs auch oft im Widerspruch zu nicht-funktionalen Anforderungen an ihre Zuverlässigkeit und Robustheit.

Vor allem für sicherheitskritische Anwendungen kann das zu einer großen Herausforderung werden. Denn für halbleiterbasierte Systeme zum Beispiel in der Automobilelektronik und Medizintechnik muss Langlebigkeit garantiert werden. Deshalb gilt es, diese bereits im IC-Entwurf zu berücksichtigen. Auf unterschiedlichen Abstraktionsebenen stellen wir deshalb Methoden und Lösungen bereit, damit unsere Partner die individuellen Anforderungen an die Robustheit und Zuverlässigkeit ihrer Entwürfe erfüllen.

Unsere Leistungen

Wir unterstützen Sie im Rahmen von Forschungs- oder Auftragsprojekten bei der Bewertung von Zuverlässigkeit und Robustheit elektronischer Komponenten durch die folgenden Dienstleistungen:

  • Halbleitercharakterisierung insbesondere von Degradation auf Wafer- und Package-Ebene im Niedervolt- und Hochvoltbereich (NBTI/PBTI, HCI; TDDB, GOI)
  • Erstellen von Prüfkonzepten und Qualifizierungsplänen 
  • Implementierung von kundenspezifischen Messverfahren 
  • Datenerfassung / Datenanalyse einschließlich Lebensdauervorhersage 
  • Kalibrierung von Transistordegradationsmodellen
  • Alterungsmodellierung für Transistoren

Kontaktieren Sie uns für ein individuelles Angebot.

Unsere Ausstattung zur Beurteilung der Zuverlässigkeit integrierter Transistoren

  • Zwei Waferprober für Einzel-Dies und Wafer bis 12‘‘, Temperaturbereich: -40 °C bis 300 °C
  • Zwei Parameter Analyzer sowie entsprechende Switch-Matrix für automatisierte Messungen
  • Zwei Hoch-Volt Source Measurement Units (HV-SMUs)
  • Package-Level-Reliability-Tester, Temperaturbereich: 25 °C bis 200 °C

Ihr Mehrwert

Unser Expertenwissen in der Betrachtung multiphysikalischer Fragestellungen sowie unsere Unterstützung verschiedenster Entwurfsumgebungen machen uns zu Ihrem Partner für den Entwurf robuster und zuverlässiger ICs und Systeme.

  • Analyse und Optimierung des Einflusses nicht-funktionaler Effekte im IC- und System-Entwurf
  • Verbessertes Verständnis sowie optimale Ausnutzung von technologischen Möglichkeiten ohne Überdimensionierung
  • Präzise Vorhersage sowie Absicherung der Lebensdauer von Transistoren, Schaltungen und elektronischer Komponenten unter bestimmten Anwendungsbedingungen
  • Erfüllung von Qualifizierungsvorgaben

Referenzen und weitere Informationen

Referenzprojekt

ADMONT

Durch das Zusammenführen von Expertise, technologischer Plattformen und vorhandener Reinräume entsteht in Dresden ein einzigartiges Designzentrum für »More-than-Moore-Technologien«.

Referenzprojekt

ARAMID

Eine Schlüsseltechnologie für das autonome Fahren ist Radarsensorik, die auch unter sehr schlechten Sichtbedingungen eine zuverlässige Überwachung der Fahrzeugumgebung ermöglicht. ARAMID soll die Basis für die Weiterentwicklung und den breiten Einsatz von Radarsensoren in Automobilen bilden.

Referenzprojekt

RESIST

Der überwiegende Teil der Innovationen im Automobil und auch im Flugzeug steht im Zusammenhang mit Elektronik. Die Arbeiten in »RESIST« haben geholfen, die Nanoelektronik als einen Schlüssel für weitere Neuentwicklungen optimal zu nutzen.

White Paper

Circuit Level Aging Simulations

How to minimize design margins with accurate advanced transistor degredation models.